EN
微思微射流均质机:二氧化硅消除粒径拖尾
二氧化硅粉体易团聚,是粉体细化加工的常见难题。传统高压均质受力不均、存在处理盲区,多次加工仍存在粒径拖尾、大颗粒残留多的问题,无法满足高端用料需求。而微射流均质可高效打散团聚颗粒,仅需2遍处理即可实现纳米级精准细化。本篇我们就来聊聊它是如何做到的。
01 传统高压均质技术
高压均质原理

传统高压均质依靠柱塞泵输送物料,物料高速通过可调节均质阀的环形狭缝,借助剪切、撞击、空化效应打散颗粒。但均质阀为活动机械结构,物料流场不均匀,部分颗粒得不到充分作用,存在处理盲区。


高压均质原理图

处理二氧化硅实际效果

面对二氧化硅的硬团聚,即便提高压力、多次循环,依旧难以完全消解团聚体,粒径分布拖尾明显,大颗粒残留多,粉体均匀度差。同时二氧化硅硬度高,还会加速均质阀磨损,造成工艺波动,很难实现稳定的窄粒径分布纳米级效果,难以满足高端用料标准。


高压均质后粒径分布图


02 微射流均质技术


微射流原理


微思实验型WMH-NANO微射流均质机

微射流均质为纯物理解聚工艺,物料进入金刚石固定微通道,流体分流后高速相向对撞,借助对撞、剪切、空化打散二氧化硅团聚颗粒。仅 2 遍循环即可稳定得到粒径在200‑500nm的粉体,消除粒径拖尾现象,无需化学助剂。相比传统高压均质,无处理盲区、粒径分布窄、重现性佳,适合高端二氧化硅规模化加工。


微射流原理图


二氧化硅高压均质与微射流对比

本次采用微射流均质开展二氧化硅解聚实验,处理前粉体团聚严重,大颗粒抱团,粒径分布宽且存在明显拖尾;经高压微射流处理后,物料在金刚石微通道内受高速对撞、强剪切、空化作用,团聚体充分打散,大颗粒基本消除,仅2遍循环即可稳定控制粒径在200-500nm,粒径分布集中,处理前后粉体状态与粒径差异显著。

微射流均质粒径分布图

更多支持

微思纳米科技以高压流体技术为核心驱动力,深耕材料科学、生物医药、新能源及食品化工等领域,拥有200+产品型号,2000+应用解决方案。

如需更多帮助,请致电:400-888-9801。微思纳米科技团队在此守候,为您提供及时、专业的解答。


相关产品
400 888 9801
wsmarketing@weissnano.com
苏州市相城区春耀路21号硕贝德科技园1号楼
【微信扫一扫联系我们】
Copyright © 2021 微思纳米科技(苏州)有限公司 版权所有 All rights reserved 备案号:苏ICP备2024122122号-2